NPBF主要参数，PDF资料， 数据手册
制造商产品型号：IRF530NPBF
制造商：英飞凌半导体（Infineon）
描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：HEXFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：920pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：70W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220AB
